Сторінка
1
В інтегральній електроніці використовуються в основному плоскі лінії.
1. Симетрично – смушкова лінія (ССЛ): вона відкрита, тому має втрати.
2. Не симетрично – смушкова лінія (НСЛ):
3. Мікросмушкова лінія (microstrip line) – МСЛ. Тут ємність дуже велика, енергія сконцентрована. Підкладка з діелектрика . Лінія двоповерхова – це не дуже зручно.
![]() |
4. Щілинна лінія (slot line). Вона є одноповерховою:
![]() |
5. Компланарний хвильовід – все в одній площині.
![]() |
Поля в несиметрично – смушковій лінії.
Складність розв’язання цієї задачі полягає в тому, що граничні умови тут – нерегулярні; не можна покласти, що на поверхні . Використовують наближені методи; зокрема конформних відображень.
Наближення: Існує Т – хвиля (нехтуємо випромінюванням). Використаємо симетрію задачі. Цікавимося випромінюванням на краю.
![]() | |||
![]() |
Треба розв’язати задачу: знайти розв’язок рівняння Лапласа у верхній площині з напівнескінченним розрізом. Використаємо метод конформних відображень: тут застосовується інтегральне конформне перетворення Кристофеля – Шварца.
![]() |
Розглянемо ламану лінію, що в точці а змінює напрямок на кут :
![]() |
. Якщо є два зломи, то
, де
,
,
. В нашій конкретній задачі ламану можна подати у вигляді:
![]() |
Кут відраховується проти годинникової стрілки від наступного напрямку до попереднього.
,
, перенесемо точки:
.
Проінтегрувавши отримаємо шукане перетворення: . Константи
та
визначаються з умов:
, отже
. Умовою
ми не можемо скористатися, бо одержимо
. Використаємо фізичні міркування:
Загальний вид відображення ; бо область інваріанта відносно зсуву вздовж ОХ (трансляційна симетрія).
Зрозуміло, у нашій задачі область при . При
перетворення набуває вигляду:
. Порівнюючи з
,
. Отже шукане перетворення:
.
Для того, щоб знайти розв’язок у верхній півплощині, необхідно перетворити її в конденсатор, використовуючи перетворення зворотне до :
. Тоді відображення, що перетворить вихідну область (
) (край конденсатора) у конденсатор (
), має вигляд:
.
Тепер необхідно розв’язати рівняння у плоскому конденсаторі та скористатись зворотнім перетворенням: ,
.
.
Таким чином: .
Запишемо рівняння еквіпотенційних поверхонь: .
ЕПП переходить в
.
1 2